采用 Arm® Cortex® M 内核,基于硅晶薄氧化物埋层(SOTB)工业技术的全球顶级超低功耗 MCU

在EEMBC ULPMark™ 基准测试中,ULPMark-CP 得分很高,达到 705

基于硅晶薄氧化物埋层 (SOTB™) 工艺技术的 RE 系列产品,实现了在运行和待机模式下以及低电压 (1.62V) 下的高速 CPU 运行 (64MHz) 时都可实现超低电流消耗,而传统主体硅工艺无法做到这一点。RE01 已通过 EEMBC 认证,在 EEMBC ULPMark™ 基准测试中,ULPMark-CP 得分很高,达到 705。EEMBC ULPMark™ 标准专门提供了比较超低功耗 MCU 能效的标准方法。此外,借助内置能量采集控制电路,设备能够以极弱的环境能量利用能量采集电源进行工作。

RE 系列产品能够显著延长电池续航时间,在使用小电池和能量采集电源的应用中,也可以提供高性能。RE 系列产品适用于很多物联网应用,比如混合式电子表、智能家居/楼宇、保健、智能架构、结构监测、跟踪器。

文档和下载

文档标题 其他语言 类型 文档格式 文件大小 日期
其他
RE Family Brochure 日本語 传单 PDF 390 KB