R2A25110KSP 是一个单通道 IGBT 门极驱动 IC,适用于高压变频器应用。一次回路(MCU 侧)和二次回路(IGBT 侧)之间采用无芯变压器结构的微型隔离器进行数据传输,并进行高压隔离。

该器件包括 IGBT 栅极驱动电路、Miller 箝位电路、软关断电路以及 IGBT 温度检测等多种保护电路。该器件还支持驱动并行 IGBT。

特性

  • 片上微型隔离器(隔离电路)
    • 高压隔离:2500VRMS
    • 高共模阻隔 (CMR):超过 35kV/us
  • 高输出栅极驱动电路
    • 栅极驱动输出电阻:最大 1.0 Ω(提供 IGBT 并联)
    • 片上有源 Miller 箝位功能
    • 片上软关断功能
  • 多种片上保护电路
    • IGBT 发射极电流检测电路:2 个通道
    • 过电流检测(Vth:0.25 V 典型值)、短路检测(Vth:0.5 V 典型值)
    • 可启用/禁用过电流检测功能(SEL 引脚)
    • IGBT 温度检测电路:2 个通道
    • 片上欠压锁定电路
      • VCC1(5 V 主侧):4.1 V 典型值。
      • VCC2(15 V 辅助侧):10 V 典型值。
    • 片上过热保护电路 (200 °C)
    • 通过外部电容器进行的故障反馈,故障保持时间可调
  • 工作温度:-40 至 125°C(结温:最大 150°C)

应用

  • Main inverters for EV/HEV in automotive applications
  • Converters for EV/HEV in automotive applications
  • Inverters and converters for industrial instruments

description文档

文档标题 language 类型 文档格式 文件大小 日期
star R2A25110KSP Datasheet Rev.5.2 数据手册 PDF 2.77 MB

file_download下载

print新闻及更多资源

类型 日期 升序排列
Low Dose Rate Acceptance Testing 基本页面 2020年3月26日
Standard Data Package 基本页面 2020年3月20日
Rad Hard SMD Test Flow 基本页面 2020年3月20日
Rad Hard Test Reports 基本页面 2020年3月20日