RE 系列产品,采用 Arm® Cortex® M 内核,基于硅晶薄氧化物埋层(SOTB)工业技术的全球顶级超低功耗 MCU

在EEMBC ULPMark™ 基准测试中,ULPMark-CP 得分很高,达到 705

REファミリ

基于硅晶薄氧化物埋层 (SOTB™) 工艺技术的 RE 系列产品,实现了在运行和待机模式下以及低电压 (1.62V) 下的高速 CPU 运行 (64MHz) 时都可实现超低电流消耗,而传统主体硅工艺无法做到这一点。RE01 已通过 EEMBC 认证,在 EEMBC ULPMark™ 基准测试中,ULPMark-CP 得分很高,达到 705。EEMBC ULPMark™ 标准专门提供了比较超低功耗 MCU 能效的标准方法。此外,借助内置能量采集控制电路,设备能够以极弱的环境能量利用能量采集电源进行工作。

RE 系列产品能够显著延长电池续航时间,在使用小电池和能量采集电源的应用中,也可以提供高性能。RE 系列产品适用于很多物联网应用,比如混合式电子表、智能家居/楼宇、保健、智能架构、结构监测、跟踪器。

Family Lineup

RE族

RE0x

RE0 系列全球顶级超低功耗 MCU 拥有 Arm® Cortex®-M0+ 内核,适用于要求低功耗的物联网设备。它们能够实现 25-35uA/MHz 工作电流(待机模式下电流为 400-500 nA)和低电压高速运行 (1.62V,64MHz),内置功能包括能量采集控制电路、超低功耗 14 位 ADC (4uA),闪存(rewriting时约为 0.6mA),安全功能(Trusted Secure IP),MIP-LCD 并行接口,和 2D 图像引擎。

Group Flash (KB) RAM (KB) Pin Voltage (V) Max Freq (MHz) Features
RE01 1500KB 1536 256 100-156 1.62-3.6 64 能量采集控制电路,超低功耗 14 位 ADC (4uA),闪存(rewriting 时约为0.6mA),Trusted Secure IP,MIP-LCD 并行接口,2D 图像引擎,电机驱动器控制
RE01 256KB 256 128 56-100 1.62-3.6 64 能量采集控制电路,超低功耗 14 位 ADC (4uA),闪存(rewriting 时约为0.6mA),Trusted Secure IP,RTC,32 位唤醒计时器
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通过EEMBC认证的具有705 ULPMark-CP得分的行业领先的节能设备。 了解基于SOTB™ 制程的RE系列如何为您的应用带来主要优势。
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瑞萨电子学院在线培训

通过培训视频,了解如何设置RE 系列开发环境,以及如何使用RE MCU的外围设备驱动,低功耗模式和能量收集功能。

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